Lityòm Ion Powerwall
1, Ti gwosè, lejè, ak konsepsyon modilè
2, Yon machin ki gen yon sèl switch kle, ki fè opere pi pratik
3, Kapab nan sik dirab nan chaj ak egzeyat
Bloopower Wall Battery, souvan ke yo rekonèt kòm Powerwall, se yon nouvo jenerasyon batri LFP pou sistèm depo enèji lakay yo. Li ofri w yon pake batri LFP ki an sekirite, byen -fè, ak segondè-pèfòmans, menm jan ak Tesla Powerwall la.
Menm jan ak Tesla Powerwall la, pake batri depo enèji lakay la piti, senp pou enstale, antretyen -gratis, epi yo ka itilize kòm yon eleman nan yon sistèm depo enèji lè yo mete ansanm an paralèl. Li se souvan itilize nan sistèm rezidansyèl batri solè depo, ti antrepriz, sistèm depo enèji endistriyèl, ak estasyon telecom ak depo rezidansyèl batri solè.
Paramèt
|
NON |
Atik |
SPEC |
Remak |
|
1 |
Kapasite rated |
100AH |
|
|
2 |
Rated Voltage |
DC-51.2V |
|
|
3 |
Rated enèji |
5120wh |
|
|
4 |
Fonksyone Voltage |
44.8V-58.4V |
2.8V-3.65V |
|
5 |
Max. Chaje aktyèl |
50A |
0.5C |
|
6 |
Max. Egzeyat aktyèl |
100A |
1C |
|
7 |
Kouran pik |
200A |
|
|
8 |
Ip Klas |
IP20 |
|
|
9 |
Tanperati egzeyat |
-10 degre -55 degre |
|
|
10 |
Tanperati chaj |
0 degre -55 degre |
|
|
11 |
Dimansyon |
L580mm * W450 * H210mm |
|
|
12 |
Pwa |
50Kg |
|
|
13 |
Rezistans Entèn |
Mwens pase oswa egal a 30mΩ |
|
|
14 |
Sik lavi |
6500 |
25 degre |
|
15 |
Kominikasyon |
CAN/RS232+RS485 |
|
Prensip fabrikasyon panèl solè
Tipikman, selil solè Silisyòm cristalline yo fabrike sou gwo -silisyòm wafers 350-450μm epè, scie nan rale oswa jete lengote Silisyòm.
Metòd ki anwo yo aktyèlman konsome plis materyèl Silisyòm. Pou konsève materyèl, depozisyon chimik vapè (CVD) se kounye a metòd ki pi komen yo itilize pou pwodui selil fim mens Silisyòm polikristalin, ki gen ladan depozisyon chimik vapè presyon ba (LPCVD) ak plasma-enhanced depo vapè chimik (PECVD). Epitaksi likid -faz (LPPE) ak depo sputtering ka itilize tou pou pwodui selil fim mens Silisyòm polikristalin.
CVD prensipalman itilize SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4, oswa SiH4 kòm gaz reyaktif la. Anba yon atmosfè pwoteksyon, atòm Silisyòm reyaji pou fòme atòm Silisyòm, ki Lè sa a, depoze sou yon substra chofe. Materyèl substra anjeneral gen ladan Si, SiO2, ak Si3N4. Sepandan, rechèch yo te montre ke fòme gwo grenn sou substrat ki pa-silikon difisil, epi twou vid ki genyen ant grenn yo fasil fòme.
Solisyon an nan pwoblèm sa a se premye depoze yon kouch mens nan Silisyòm amorphe sou yon substra lè l sèvi avèk LPCVD, Lè sa a, rkwit kouch sa a yo pwodwi pi gwo grenn. Lè sa a, fim mens Silisyòm polikristalin epè yo depoze sou kristal grenn sa a. Se poutèt sa, teknoloji rkristalizasyon se san dout yon etap enpòtan. Kounye a, teknoloji prensipal yo itilize yo se kristalizasyon solid-faz ak rkristalizasyon fonn mitan-zòn. Anplis pwosesis rekristalizasyon an, selil fim mens-silisyòm polikristalin yo itilize prèske tout teknik yo itilize pou fabrike selil solè sèl-kristalin Silisyòm. Sa a siyifikativman amelyore efikasite konvèsyon selil solè ki kapab lakòz yo.
Avantaj
1, Ti gwosè, ki lejè, ak konsepsyon modilè;
2, Yon machin ki gen yon sèl switch kle, ki fè opere pi pratik;
3, Kapab sik dirab chaj ak egzeyat;
4, Sèvi ak plizyè nivo jesyon enèji;
5, Plizyè machin paralèl ak akizisyon adrès otonòm ki pa mande pou entèvansyon itilizatè;
6, Sipòte 100A (2C) chaje ak egzeyat, yon gwo -aktyèl chaj ak dechaj pousantaj;
Sèvis nou an
Sètifika
Tèm Peman
Nou ka sèlman sipòte transfè telegrafik oswa peye sit entènèt sou entènèt. apre tout kesyon pwodwi yo konfime. Pou lòd echantiyon an, 100% peman anvan echantiyon nou an fè. Pou lòd la gwo, yon peman depo 30% nesesè an premye, apre yo fin resevwa peman an 30%, nou pral fè aranjman pou kòmanse pwodiksyon an nan tan jan yo te pwomèt la; lè lòd la fini, apre yo fin resevwa peman balans 70% nou pral fè aranjman pou livrezon an, epi yo pral ofri enfòmasyon lojistik la, mete ajou li nan tan.
Enstalasyon
Anbalaj
Sou nou
Petèt ou pral tankou
Baj popilè: ityòm ion powerwall, Lachin ityòm ion powerwall manifaktirè, Swèd, faktori
You Might Also Like
Voye rechèch